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產(chǎn)品中心材料制備/樣品合成爐子（燒結(jié)爐、電弧爐等）HKZSciDre 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
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德國SciDre 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達(dá)300Bar，甚至10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
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| 德國SciDre公司推出的能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達(dá)300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。 應(yīng)用域 適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。 |
耐高溫、耐高壓、高真空、 高透光率、拆裝簡(jiǎn)便的樣品腔 |
由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用光 和精密工程研究所化設(shè)計(jì)的高反射率鏡面， 鏡體位置可由高精度步進(jìn)馬達(dá)控制調(diào)節(jié) |
光闌式光強(qiáng)控制器 更方便地調(diào)節(jié)熔區(qū)溫度，延長燈泡壽命 |
仿真化觸屏控制軟件 界面友好，操作簡(jiǎn)單 |
熔區(qū)測(cè)溫選件測(cè)溫技術(shù) 可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)加熱區(qū)溫度 |
多路立氣路控制選件 可控制N2、O2、Ar、空氣等的流量和壓力， 并可對(duì)氣體進(jìn)行比例混合與熔區(qū)進(jìn)行反應(yīng) |
氣體除雜選件 可使高壓氬氣中的氧含量達(dá)到10-12ppm |
退火選件 可對(duì)離開熔區(qū)的單晶棒提供 高達(dá)1100℃退火溫度和高壓氧環(huán)境 |
SciDre 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐點(diǎn)
● 采用垂直式光路設(shè)計(jì)
● 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選
● 熔區(qū)溫度：>3000℃
● 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選
● 氧氣/氬氣/氮?dú)?空氣/混合氣等多種氣路可選
● 采用光柵控制技術(shù)，加熱功率從0-100% 連續(xù)可調(diào)
● 樣品腔可實(shí)現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境
● 豐富的可升選件
SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)參數(shù)
熔區(qū)溫度：高達(dá)2000 - 3000℃以上
熔區(qū)壓力：高至10、50、100、150、300 bar可選
熔區(qū)真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選
熔區(qū)氣氛：Ar、O2、N2等可選
氣體流量：0.25 – 1 L/min流量可控
氙燈功率：3kW至15kW可選
料棒臺(tái)尺寸：6.8mm或9.8mm可選
拉伸速率：0.1-50mm/h
調(diào)節(jié)速率：0.6 mm/s
拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可選
旋轉(zhuǎn)速率：0-70rpm
用電功率：400V三相 63A 50Hz
主機(jī)尺寸：330cm*163cm*92cm （不同規(guī)格略有差異）
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用戶單位
中國科學(xué)院物理研究所
中國科學(xué)院固體物理研究所
北京師范大學(xué)
中山大學(xué)
南昌大學(xué)
上海大學(xué)
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